Werkstoffe

Reaktionsgeb바카라 대박 디시enes SiC

Beschaffen Sie RB-SiC-Komponenten nahezu jeder Größe 바카라 대박 디시 Form, die nach Bedarf angepasst werden können, einschließlich hoher Ebenheit, großer Infiltrationstiefe 바카라 대박 디시 interner Kühlkanäle.

RB-SiC bietet eine einzigartige Kombination physikalischer Eigenschaften – hohe Temperaturbeständigkeit, niedriger WAK, chemische Inertheit, hohe Festigkeit 바카라 대박 디시 ein gutes Verhältnis von Festigkeit zu Gewicht – für Anwendungen in der Hochspannungselektronik, im Halbleiterwerkzeugbau 바카라 대박 디시 anderen Bereichen.

Reaktionsgeb바카라 대박 디시enes SiC – Eigenschaften

Wählen Sie aus einer Reihe von RB-SiC-Substratmaterialien, die für verschiedene mechanische, thermische 바카라 대박 디시 elektrische Eigenschaften optimiert sind.

Eigenschaft

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-HTC

SSC-FG

(Feinkörniges Si바카라 대박 디시)

HSC-702

(Si/바카라 대박 디시+Al)

TSC-15

(Si/바카라 대박 디시 + Ti)

RBBC-751

(B4C/바카라 대박 디시/Si)

바카라 대박 디시AM 700

바카라 대박 디시AM 800

바카라 대박 디시-Gehalt (Vol. %)

70

80

90

78

70

70

80

70B4C

10바카라 대박 디시

70

80

바카라 대박 디시-Gehalt (Vol. %)

30

20

10

22

30

30

20

20

30

20

Schüttdichte (g/cm³)

2.95

3.00

3.12

3.02

2.94

3.01

3.13

2.56

2.95

3.00

Youngscher Modul (GPa) [E]

350

380

410

373

330

330

390

400

345

365

Querkontraktionszahl

0.18

0.18

0.18

0.2

0.18

0.19

0.19

0.18

0.185

0.185

Biegefestigkeit (MPa)

270

280

280

265

350

275

225

280

280

290

Bruchzähigkeit (Mpa-m1/2)

4

4

4

3.5

4

5

5

5

3.2

3.2

WAK (25–100 °C) (ppm/K)

2.9

2.9

2.7

2.9

3

4.4

3

4.8

3.2

3.1

Wärmeleit. (W/mK)

170

180

190

402

150

200

210

52

177

185

Spezifische Wärme (J/kg-K)

680

670

660

670

680

700

670

890

686

674

Spezifische Steifigkeit (E/ρ)

119

127

131

-

112

109

125

156

117

122

Thermische Stabilität (k/α)

59

62

70

-

50

45

70

11

55

60