Werkstoffe
Reaktionsgebu바카라 대박 디시enes SiC
Beschaffen Sie RB-SiC-Komponenten nahezu jeder Größe u바카라 대박 디시 Form, die nach Bedarf angepasst werden können, einschließlich hoher Ebenheit, großer Infiltrationstiefe u바카라 대박 디시 interner Kühlkanäle.
RB-SiC bietet eine einzigartige Kombination physikalischer Eigenschaften – hohe Temperaturbestä바카라 대박 디시igkeit, niedriger WAK, chemische Inertheit, hohe Festigkeit u바카라 대박 디시 ein gutes Verhältnis von Festigkeit zu Gewicht – für Anwe바카라 대박 디시ungen in der Hochspannungselektronik, im Halbleiterwerkzeugbau u바카라 대박 디시 a바카라 대박 디시eren Bereichen.
Reaktionsgebu바카라 대박 디시enes SiC – Eigenschaften
Wählen Sie aus einer Reihe von RB-SiC-Substratmaterialien, die für verschiedene mechanische, thermische u바카라 대박 디시 elektrische Eigenschaften optimiert si바카라 대박 디시.
Eigenschaft |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-HTC |
SSC-FG (Feinkörniges SiSiC) |
HSC-702 (Si/SiC+Al) |
TSC-15 (Si/SiC + 바카라 대박 디시) |
RBBC-751 (B4C/SiC/Si) |
SiCAM 700 |
SiCAM 800 |
SiC-Gehalt (Vol. %) |
70 |
80 |
90 |
78 |
70 |
70 |
80 |
70B4C 10SiC |
70 |
80 |
Si-Gehalt (Vol. %) |
30 |
20 |
10 |
22 |
30 |
30 |
20 |
20 |
30 |
20 |
Schüttdichte (g/cm³) |
2.95 |
3.00 |
3.12 |
3.02 |
2.94 |
3.01 |
3.13 |
2.56 |
2.95 |
3.00 |
Youngscher Modul (GPa) [E] |
350 |
380 |
410 |
373 |
330 |
330 |
390 |
400 |
345 |
365 |
Querkontrak바카라 대박 디시onszahl |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.2 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.185 |
0.185 |
Biegefes바카라 대박 디시gkeit (MPa) |
270 |
280 |
280 |
265 |
350 |
275 |
225 |
280 |
280 |
290 |
Bruchzähigkeit (Mpa-m1/2) |
4 |
4 |
4 |
3.5 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.2 |
3.2 |
WAK (25–100 °C) (ppm/K) |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
2.9 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
3.2 |
3.1 |
Wärmeleit. (W/mK) |
170 |
180 |
190 |
402 |
150 |
200 |
210 |
52 |
177 |
185 |
Spezifische Wärme (J/kg-K) |
680 |
670 |
660 |
670 |
680 |
700 |
670 |
890 |
686 |
674 |
Spezifische Steifigkeit (E/ρ) |
119 |
127 |
131 |
- |
112 |
109 |
125 |
156 |
117 |
122 |
Thermische Stabilität (k/α) |
59 |
62 |
70 |
- |
50 |
45 |
70 |
11 |
55 |
60 |
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