ネットワーク

高出力100 mW DFB바카라 도박ダイオードチップ

1300 nm 100 바카라 도박 CW CWDM4 DFB Laser Diode Chips

非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーで바카라 도박ンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。

これらのチップは、非冷却型DR4およびDR8トランシーバーの粗波長分割多重化（CWDM）波長要件に適合するように、4つの波長帯域で利用できます。高い信頼性を特徴とし、非密閉型パッケージ用としてGR-468規格に適合しています。

高出力100 mW바카라 도박ダイオードチップ

これらのチップは、Ø150 mmのグリップリング付き半透明テープで試験および検査されます。1.6Tまでの高度なシリコントランシーバー設計をサポートできる将来性のある技術です。

データシート

主な機能

  • 非冷却式OバンドCWDM4用に設計

  • 非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠

  • 優れた信頼性

  • 上部アノードと裏面カソードの構成

  • RoHS適合

  • 使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm

関連製品

Featu바카라 도박d Success Story

Laser Framework Makes a Mark in Siemens’ Digital Factory

바카라 도박 applications development support and 바카라 도박 Laser FrameWork software enable Siemens to successfully implement their ID Link manufacturing program.

LASER FRAMEWORK MAKES A MARK