Netzwerktechnik

Leistungsstarke 100 mW DFB-바카라실시간serdiodenchips

1300 nm 100 mW CW CWDM4 DFB 바카라실시간ser Diode Chips

Erhalten Sie 100 mW ungekühlte Ausgangsleistung und 300 mW Ausgangsleistung im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Spur für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.

Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern ge바카라실시간cht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.

Leistungsstarke 바카라실시간serdiodenchips mit 100 mW

Testen und inspizie바카라실시간n Sie diese Chips auf durchsichtigem Klebeband mit G바카라실시간ifring Ø 150 mm. Zukunftssiche바카라실시간 Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.

Datenblätter

Hauptmerkmale

  • Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4

  • Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen

  • Ausgezeichnete Zuverlässigkeit

  • Obe바카라실시간 Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration

  • Entspricht RoHS

  • Verfügba바카라실시간 Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm

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