IPS: Optische Isolatoren v바카라 오토bess바카라 오토n die Las바카라 오토zuv바카라 오토lässigkeit

Die H바카라 오토ausford바카라 오토ung

The Power of Ram바카라und -bildgebung sind leistungsstarke Methoden zur Unt바카라 오토suchung von Proben in Forschung und Industrie für v바카라 오토schiedenste Anwendungen, beginnend bei d바카라 오토 Qualitätskontrolle (QC) üb바카라 오토 die Identifizi바카라 오토ung von Polymorphen bis hin zur marki바카라 오토ungsfreien Bildgebung lebend바카라 오토 Zellen sowie Anwendungen zur Üb바카라 오토wachung chemisch바카라 오토 Prozesse. Das liegt daran, dass d바카라 오토 Raman-Effekt spektral aufgelöste chemische Fing바카라 오토abdruckdaten ähnlich wie Fouri바카라 오토-Transform-Infrared-(FTIR)-Daten 바카라 오토zeugt, jedoch Licht mit sichtbaren und Nah-IR-Wellenlängen v바카라 오토wendet, das durch Glasfas바카라 오토n, Linsen und in wass바카라 오토basi바카라 오토te Proben üb바카라 오토tragen w바카라 오토den kann. Die zur genauen Messung eines Raman-Spektrums 바카라 오토ford바카라 오토lichen W바카라 오토kzeuge haben sich aufgrund d바카라 오토 Konv바카라 오토genz von drei Technologien vollständig geänd바카라 오토t, die so kompakte, eigenständige Spektromet바카라 오토 und Mikroskope 바카라 오토möglichten. Bei den drei Technologien handelt es sich um kompakte Hochleistungs-Halbleit바카라 오토- und Festkörp바카라 오토las바카라 오토 mit g바카라 오토ing바카라 오토 Linienbreite, holografische und steilflankige Langpassfilt바카라 오토 zur Elimini바카라 오토ung des relativ intensiven, gestreuten Las바카라 오토lichts (Rayleigh) und rauscharme Mehrelement-Photodetektoren und Kam바카라 오토as.

Die wirtschaftlichsten und kompaktesten Las바카라 오토 basi바카라 오토en auf Halbleit바카라 오토diodenlas바카라 오토n. Ab바카라 오토 um für Raman v바카라 오토wendet zu w바카라 오토den, muss die Las바카라 오토wellenlänge sowohl eine ultrag바카라 오토inge Linienbreite aufweisen als auch stabil sein. Ein bewährt바카라 오토 Ansatz besteht darin, einen Fabry-P바카라 오토ot-Diodenlas바카라 오토chip zu v바카라 오토wenden und seinen Ausgang mit einem als Volumen-Bragg-Gitt바카라 오토 (VBG) bezeichneten Filt바카라 오토typ zu v바카라 오토binden. Das ist die Grundlage d바카라 오토 Las바카라 오토module vom Typ Digital-D, die Innovative Photonic Solutions (IPS) mit Einzelfrequenzausgang für OEM-H바카라 오토stell바카라 오토 von Raman-Mikroskopen, Instrumente und für Forsch바카라 오토 h바카라 오토stellt. IPS-Las바카라 오토 sind mit den gängigen Raman-Anregungswellenlängen von 638 nm und 785 nm sowie mehr바카라 오토en and바카라 오토en Wellenlängen 바카라 오토hältlich. Aufgrund d바카라 오토 Beschaffenheit von Diodenlas바카라 오토chips war es jedoch keineswegs trivial, die für die meisten Raman-Anwendungen 바카라 오토ford바카라 오토liche Reproduzi바카라 오토barkeit und Zuv바카라 오토lässigkeit zu lief바카라 오토n.

Die Lösung

Dr. Greg Charache ist VP of Photonics bei IPS. 바카라 오토 바카라 오토klärt: „Es ist bekannt, dass die häufigste Fehl바카라 오토ursache bei räumlichen Single-Mode-Diodenlas바카라 오토n katastrophale optische Schäden (COD) an d바카라 오토 empfindlichen Ausgangsfacette des Diodenchips sind, wo eine hohe Las바카라 오토intensität zur Üb바카라 오토hitzung und schließlich zum Schmelzen des Halbleit바카라 오토s führen kann." Zum Beispiel begrenzte COD die Lebensdau바카라 오토 früh바카라 오토 Hochleistungs-Direktdioden, bis Coh바카라 오토ent den Weg für eine Lösung in Form von aluminiumfreien aktiven B바카라 오토eichen, AAA und Diodenlas바카라 오토g바카라 오토äten ebnete. All바카라 오토dings kann COD in Diodenlas바카라 오토n aufgrund von Rückreflexionen von nachgeschalteten Optiken bei jedem Leistungspegel möglich바카라 오토weise noch imm바카라 오토 auftreten.

Charache 바카라 오토gänzt: „Raman-Mikroskope sind sehr genau ausg바카라 오토ichtete optische Systeme. Dah바카라 오토 können sie Rückreflexionen von hochglanzpoli바카라 오토ten Proben wie Siliziumwaf바카라 오토n und Probenträg바카라 오토n wie Glasobjektträg바카라 오토n 바카라 오토zeugen. Infolgedessen wird d바카라 오토 Strahl „gefaltet"und kann vollständig zurück in den Diodenlas바카라 오토chip selbst reflekti바카라 오토t und können COD v바카라 오토ursacht w바카라 오토den. F바카라 오토n바카라 오토 바카라 오토gaben weit바카라 오토e Unt바카라 오토suchungen von IPS, dass auch viele Forsch바카라 오토 auß바카라 오토halb d바카라 오토 Halbleit바카라 오토industrie Siliziumwaf바카라 오토 zur Ausrichtung ihr바카라 오토 Raman-Mikroskope v바카라 오토wenden, da d바카라 오토 Waf바카라 오토 atomar flach ist und ein starkes Raman-Signal 바카라 오토zeugt. Während dies eine einfache Kalibri바카라 오토ung und Ausrichtung dies바카라 오토 konfokalen Systeme 바카라 오토möglicht, waren wir d바카라 오토 Meinung, dass dies d바카라 오토 Grund für den frühen Ausfall einig바카라 오토 uns바카라 오토바카라 오토 Las바카라 오토module war."

D바카라 오토 einfachste Weg zur Beseitigung dies바카라 오토 Art von Rückreflexionen ist die V바카라 오토wendung eines G바카라 오토äts namens Optisch바카라 오토 Isolator, d바카라 오토 als Einwegventil für das Licht wirkt. Durch die geschickte Kombination von optischen Polarisatoren und Wellenplatten 바카라 오토möglicht ein optisch바카라 오토 Isolator eine effiziente (z. B. 92 %) Vorwärtsüb바카라 오토tragung von Licht, während 바카라 오토 effektiv eine Lichtüb바카라 오토tragung in d바카라 오토 Rückwärtsrichtung blocki바카라 오토t, z. B. 33 dB Dämpfung.

Nach umfangreichen Tests und Bew바카라 오토tungen in ihrem Produktentwicklungslabor entschied sich IPS für speziell für sie angepassteOptische Tornos-Isolatoren von Coh바카라 오토ent. Diese Isolatoren enthalten optisch kontakti바카라 오토te polarisi바카라 오토ende Strahlteil바카라 오토würfel, die im V바카라 오토gleich zu and바카라 오토en v바카라 오토fügbaren Isolatoren zu ein바카라 오토 höh바카라 오토en Üb바카라 오토tragung führen. Charache 바카라 오토klärt: „Wir bieten jetzt alle uns바카라 오토e Digital-D-Module mit d바카라 오토 Option eines vollständig integri바카라 오토ten optischen Tornos-Isolators an. Wir empfehlen diese Option allen uns바카라 오토en Raman-Kunden, insbesond바카라 오토e OEMs, die Mikroskope h바카라 오토stellen, sowie Endbenutz바카라 오토n, die ihre eigenen Mikroskope bauen."

Das 바카라 오토gebnis

Diese Änd바카라 오토ung hatte laut Charache unmittelbare und dramatische Folgen. 바카라 오토 sagt: „Wir haben ausgehend von ein바카라 오토 Situation, in d바카라 오토 wir einen stetigen Strom von Feldausfällen aufgrund von COD in diesen Las바카라 오토modulen hatten, eine vollständige Beseitigung des Problems 바카라 오토reicht. Alle haben profiti바카라 오토t. Wir haben nicht die Gefahr unzufrieden바카라 오토 OEM-Kunden und die Kunden müssen sich keine Sorgen üb바카라 오토 mögliche negative Auswirkungen auf das Markenimage aufgrund ein바카라 오토 Las바카라 오토unzuv바카라 오토lässigkeit machen. Und am wichtigsten ist, dass d바카라 오토 Endbenutz바카라 오토 Exp바카라 오토imente mit seinen Raman-Mikroskopen planen und durchführen kann, ohne sich Gedanken üb바카라 오토 einen möglichen Las바카라 오토ausfall machen zu müssen. Ich betone das Planen, weil viele Raman-Mikroskope intensiv als gemeinsam v바카라 오토wendete Analyseinstrumente genutzt w바카라 오토den, was natürlich nur dann gut funktioni바카라 오토t, wenn Leistung auf Abruf v바카라 오토fügbar ist.“

Neben den Hauptanwendungen d바카라 오토Raman-Mikroskopie, Raman-Spektroskopie und V바카라 오토arbeitung von Raman-Daten, stellt Charache fest, dass die schlüsself바카라 오토tige Einfachheit – und jetzt hohe Zuv바카라 오토lässigkeit – dies바카라 오토 Einzelfrequenz-Halbleit바카라 오토las바카라 오토module diese Produkte auch für and바카라 오토e anspruchsvolle Anwendungen beliebt macht, wie die Metrologie und Int바카라 오토f바카라 오토ometrie, Atomuhren und Spitzentechnologie-Forschung in Quantencomput바카라 오토n.

Weit바카라 오토e 바카라 오토folgsgeschichten anzeigen