바카라사이트器部件和配件

高功率单发射器바카라사이트二极管

C-Mount

从单个发射器设备获得 808 nm 或 9xx nm 的多瓦输出功率，用于泵浦下一代光纤바카라사이트器和其他高功率半导体바카라사이트器应用。

这些바카라사이트二极管 p 面朝下安装在与 C 型安装座相连的基座上。它们采用我们独有的 E2 前镜钝化工艺，即使在极高的输出功率下也能防止바카라사이트二极管面发生灾难性光学损坏 (COD)。

SEC 系列高功率바카라사이트二极管

由于其采用了单量子阱 MBE 结构，因此当您同时需要高功率、高耦合效率和高可靠性时，请选择这些바카라사이트器。

数据表

型号

输出功率 (W)

中心波长 (nm)1

光谱宽度，FWHM (nm)

바카라사이트C4-808A-01

4

806 ± 3

2

바카라사이트C4-808B-01

4

803 ± 3

2

바카라사이트C4-808C-01

4

808 ± 2.5

2

바카라사이트C8-808A-01

8

806 ± 3

2

바카라사이트C8-808A-01

8

806 ± 3

2

바카라사이트C8-808A-01

8

808 ± 2.5

2

바카라사이트C9-915-01

9

915 ± 10

4

바카라사이트C9-940-01

9

940 ± 10

4

바카라사이트C9-975-01

9

975 ± 10

4

1.可根据要求提供减小的波长窗口。

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