InP 光电바카라 보너스 기준

使用这些 InP 基激光器、바카라 보너스 기준和光电二极管产品来实现高速 O-C 和 L 频段光纤通信。

1300 nm 100 mW CW CWDM4 DFB Laser Diode Chips

高功率 100 mW DFB 바카라 보너스 기준二极管芯片

获得 100 mW 的无制冷输出功率和 300 mW 的带制冷输出功率，分别为尖端 O 频段收发器实现每通道 100 Gbps 和 200 Gbps 的速率。

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1300 nm 28 Gbps NRZ and 56 Gbps PAM4 CWDM4 DFB Laser Diode Chips

100 Gbps PAM4 DFB 바카라 보너스 기준二极管芯片

在基于 NRZ 或 PAM4（四级）调制的高速无制冷光模块中使用这些 13XX nm 바카라 보너스 기준二极管芯片，适用于所有四种 O 频段 CWDM 波长。

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28 Gbps FB Laser Diode Chip/1300 nm 28 Gbps NRZ DFB Laser Diode Chips

28 Gbps DFB 바카라 보너스 기준二极管芯片

使用这些法布里-珀罗 (FP) 和分布式反馈 (DFB) 바카라 보너스 기준二极管芯片，构建光模块和其他需要几毫瓦 13XX nm 바카라 보너스 기준输出的组件。

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28/56 GBd Uncooled FR EML Chip

100 Gbps 和 200 Gbps EML

适用于光收发器的光发射바카라 보너스 기준，采用 56 GBd 和 112 GBd PAM4 调制。

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