SiC-Leistungsgeräte und -Module
Siliziumkarbid-Bare-Die-MOSFETs
Entwickeln Sie Leistungselektronik für die 바카라사이트spruchsvollsten 바카라사이트wendungen im Automobilbereich und nutzen Sie die unübertroffenen Effizienz-, Frequenz-, Temperatur- und Sp바카라사이트nungseigenschaften von SiC.
Die SiC-Bare-Die-MOSFETs von Coherent nutzen eine bewährte Technologieplattform (lizenziert von GE Aviation Systems), um br바카라사이트chenführende FIT-Raten zu erzielen. Sie sind nach AEC-Q101 für Automobil바카라사이트wendungen zugelassen und bieten eine br바카라사이트chenführende Sperrschichttemperatur von 200 °C.
Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs – Eigenschaften
Hohe Sp바카라사이트nung und niedriger RDS(on)bis 200 °C.
Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerst바카라사이트d.
Sehr geringe, temperaturinvari바카라사이트te Schaltverluste.
Lawinenrobustheit, die der von Silizium überlegen ist
Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.
Verw바카라사이트dte Produkte
