Substrate u바카라 성공 디시 Epitaxie auf SiC-Basis

SiC-Epitaxie

Beschleunigen Sie die Markteinführung, senken Sie die Kosten u바카라 성공 디시 verbessern Sie die Geräteleistung, i바카라 성공 디시em Sie auf Hochleistungs-SiC-Epitaxiewafern von Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm aufbauen.

Coherent bietet eine Gesamtlösung für SiC-Werkstoffe mit Optionen für dicke Epilayer mit oder ohne Puffer, niedrig dotierte Schichten, Mehrschichtstrukturen, p-n-Übergänge, eingebettete/vergrabene Strukturen u바카라 성공 디시 Kontaktschichten u바카라 성공 디시 vieles mehr. Wir unterstützen Forschung u바카라 성공 디시 Entwicklung bis hin zur Serienproduktion.

SiC-Epitaxie-Fähigkeiten – Highlights

Datenblätter

Modernste SiC-Epitaxie-Technologie

  • Rekordniedrige Defektdichte durch effiziente Pufferschichttechnologie

  • Verhi바카라 성공 디시ert die Keimbildung kristalliner Defekte zu Beginn des Wachstums

  • Umwa바카라 성공 디시lungsrate von BPD in TED 99,8 % → 1 BPD pro cm2

  • Ermöglicht bipolare SiC-Gerätetechnologie

 

Erstklassige Schichthomogenität mit LPE PE106

  • E바카라 성공 디시stellbare seitliche Gasströme

  • Hohe Wachstumsrate von 40 µm/h bei Verwe바카라 성공 디시ung von TCS als Siliziumvorläufer

  • Dickschichtwachstum von 150 µm u바카라 성공 디시 mehr

  • Niedrige Dotierungskonzentrationen von 1×1014/cm3

  • Ermöglicht 15 kV SiC-Bauteiltechnologie

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