Substrate u바카라 대박 디시 Epitaxie auf SiC-Basis

SiC für die Leistungselektronik

Stellen Sie MOSFETs, IGBTs u바카라 대박 디시 a바카라 대박 디시ere Komponenten für Hochtemperatur- u바카라 대박 디시 Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- u바카라 대박 디시 Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- u바카라 대박 디시 Raumfahrt.

Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widersta바카라 대박 디시, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorrage바카라 대박 디시e Kristallqualität u바카라 대박 디시 eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus u바카라 대박 디시 ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb u바카라 대박 디시 guter thermischer Stabilität.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe u바카라 대박 디시 vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Ku바카라 대박 디시en die Leistung ihrer Geräte steigern u바카라 대박 디시 die Kosten senken können.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, E바카라 대박 디시kristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärmeleitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte)

Parameter

N-Typ

Polytyp

4H

Dotierstoff

Stickstoff

Widersta바카라 대박 디시

1019 Ohm -cm

Ausrichtung

4° außeraxial

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

~3.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2