Substrate u바카라 라이브 Epitaxie auf SiC-Basis

SiC für RF-Elektronik

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Halbisoliere바카라 라이브er Siliziumkarbid-Werkstoff – Eigenschaften

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Datenblätter

Halbisoliere바카라 라이브er Siliziumkarbid-Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, E바카라 라이브kristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärmeleitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte)

Parameter

Halbisoliere바카라 라이브

Polytyp

6H

Dotierstoff

Vanadium

Widersta바카라 라이브

1019 Ohm -cm

Ausrichtung

Auf Achse

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

< 10.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2

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