Substrate und Epitaxie auf 바카라 대박 디시-Basis
SiC für 바카라 대박 디시 Leistungselektronik
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n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften
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n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften |
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Physikalische Eigenschaften |
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Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
Durchmesser |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
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Wärm바카라 대박 디시eitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent 바카라 대박 디시-Substraten (typische Werte) |
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Parameter |
N-Typ |
Polytyp |
4H |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Widerstand |
1019 Ohm -cm |
Ausrichtung |
4° außeraxial |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
~3.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |
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